Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极体相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以。
正电，P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结，晶体允许电子（外部来看）从N型半导体一端，流向P型半导体一端，但是不能反向流动。 当二极管两边施加电压时，耗尽区的宽度，PN结势垒高低均会发生变化，导致二极管的电阻发生变化。 二极体的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为顺向偏压（forward。
zheng dian ， P xing ce dai fu dian 。 liang kuai qu yu de jiao jie chu wei P N jie ， jing ti yun xu dian zi （ wai bu lai kan ） cong N xing ban dao ti yi duan ， liu xiang P xing ban dao ti yi duan ， dan shi bu neng fan xiang liu dong 。 dang er ji guan liang bian shi jia dian ya shi ， hao jin qu de kuan du ， P N jie shi lei gao di jun hui fa sheng bian hua ， dao zhi er ji guan de dian zu fa sheng bian hua 。 er ji ti de yang ji ce shi jia zheng dian ya ， yin ji ce shi jia fu dian ya ， zhe yang jiu cheng wei zheng xiang pian zhi ， suo jia dian ya wei shun xiang pian ya （ f o r w a r d 。
，作为从右端开始第一个小于右边数字的数，可以得到序列Pj+1，Pn是降序排列，选择其中大于Pj的最小的数字 Pk，与其交换，然后再对后面排序得到序列 P1，Pj-1PkPn，恰好比 P1Pj-1PjPn 大一点的下一个排列，因此算法可以生成全排列。 对于元素集合 {1，2，3}。
{V_{A}+V_{CE}}{I_{C}}}\ \approx {\frac {V_{A}}{I_{C}}}\ } 可看出上式与晶体管的集电极－发射极PN结有关，因此这一电阻定义可解释简单电流镜或有源负载共射极放大器的有限输出电阻。 若与SPICE中保持一致，使用 V C B {\displaystyle。
switch）、移相器（英语：Phase shift module）和衰减器。 PN结是所有半导体二极管的基本工作原理。 对于普通的直流电，PIN型二极管和普通的二极管没有太大的差异。但与普通的PN结二极管相比，PIN型二极管在高频应用中有着非常特殊的特性。当在PIN型二极管上施以正向偏置的直流电时，PIN型二极管允许高频振荡的整。
pn接面两侧有相同量的电荷，因此它向较少掺杂的一侧延展更远（图A与图B的n端）。 若施加在p区的电压高於n区的电压，称为正向偏置（forward bias）。 在正向偏置电压的外电场作用下，N区的电子与P区的空穴被推向pn接面。这降低了耗尽区的耗尽宽度。这降低了pn。
正是针对解决这个问题而开发的。2 抗多径干扰能力强 ：多载波系统和单载波系统相比，OFDM系统具有抗多径干扰的能力，抵抗多径干扰的大小相应于其保护间隔的长度。由于国标的时间保护间隔中插入的是已知的（系统同步后）PN序列，在给定信道特性的情况下，PN序列在接收端的信号可以直接算出，并去除。去掉PN。
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扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。 掺杂材料的扩散常数可以通过Haynes–Shockley。
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电流模电路是基於电流模而非电压模，进行分析及创造的电路，其中一个例子就是TL回路。TL回路即是满足线性跨导原理的回路，而线性跨导原理即指一条回路中如果只有PN结，数量为偶数，並且正向与反向的数量相等，那么正反方向的发射结电流密度就会相等。 20世纪末，以CB工艺为代表的微电子技术发展迅速，电流模电路因而诞生。电流模电。
(1996)以拉格朗日插值法证明此。） 以上定义的积分泛函I定义了次数不超过n的多项式的子空间Pn上的线性泛函。如果x0，。。，xn是[a,b]内n+1个不同的点，那么存在系数a0，。。，an，使得对于所有的ƒ ∈ {\displaystyle \in } Pn，都有： I ( f ) = a 0 f ( x 0 ) + a 1。
发现，开发出此种二极体，並以齐纳作为命名以兹纪念。 一般二极体正向导通时电压可维持在0.7V，可提供稳定的电压，但如果我们需要更大的电压时，则需串联很多的二极体，使用上不是很方便。但观察二极体逆向偏压很大时，所发生的击穿现象，此现象和正向导通时情况类似，都有稳压稳流的特性。因此，利用这个特性发明了这。
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region），又称空乏区、阻挡层、势垒区（barrier region），是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。 在PN结中，由于载流子浓度的梯度，空穴、电子会通过扩散作用的形式分别向掺杂浓度低的N区、P区移动。扩散作用产生的少数载。
x_{n}y_{1}\cdot y_{2}\cdots y_{n}}}} 假设Pn{\displaystyle P_{n}}成立，那么Pn−1{\displaystyle P_{n-1}}成立。证明：对于n−1{\displaystyle n-1} 个正实数x1,⋯,xn−1{\displaystyle x_{1}。
极的确可以互相对换的结型场效应管上（不是所有结型场效应管都可以）。 传统地元件的周围还有一个圈。 箭头示明沟道和栅极之间pn结的极性。如同一般的二极管箭头从p区指向n区，这也是正向偏压下的电流方向。 与金属-氧化物-半导体场效应管相比结型场效应管的栅电流比较大，但是比双极性晶体管小。结型场效应管的跨。
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NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，发射结（基极与发射极之间的PN结）处于正向偏置状态，而集电结（基极与集电极之间的PN结）则处于反向偏置状态。:29-30在没有外加电压时，发射结N区的电子（该区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分。
下面的步骤描述了如何处理明文的最后两个块，即Pn-1和Pn，其中Pn-1的长度等于以位表示的密码的块大小B；最后一个块的长度Pn是百万位元（Mbit）；k是正在使用的密钥。M可以范围从1到B，所以Pn可能是一个完整的块。CBC模式描述还使用了就在有关块Cn-2之前的密文块。
NGS所构成的二面角L，叫做P点的大地经度，由起始子午面起算，向东为正，叫东经（0度～180度），向西为负，叫西经（0度～180度）。P点的法线Pn与赤道面的夹角B，叫做P点的大地纬度，由赤道面起算，向北为正，叫北纬（0度～90度），向南为负，叫南纬（0度～90度）。在该坐标系中，P点的位置用L，。
向电路，不仅使控制电路的体积、质量增加，而且会降低效率，产生波形失真和噪声；而可关断晶闸管克服了这些缺陷，既可通过门极信号导通，又可通过门极信号关断，其借助外部的缓冲电路来导通和关断电流。 导通由门极和阴极端子之间的“正电流”脉冲完成，由于门极-阴极的组合结构类似于PN。
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是平衡的。这时，载子浓度不再能被一个单一的费米能级所描述，但可以用分別的准费米能级来描述导带和价带。 PN接面的能带图和准费米能阶如下图中左图所示。当偏压为0时，电子和电洞的准费米能阶重合。 隨著正偏压增加，p型半导体的价带能量越来越低，电洞的准费米能阶也被拉低，电子和电洞的准费米能阶分离越来越大。。
Hartwell, Herbert. THE THEOLOGY OF KARL BARTH: AN INTRODUCTION. Philadelphia, PN: The Westminster Press, 1964. Polman, A.D.R. Barth. Translated by Calvin D。
